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Kingston HX316C10F/8 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
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Kingston HX316C10F/8 8GB vs G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Puntuación global
Kingston HX316C10F/8 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston HX316C10F/8 8GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
36
En -13% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.5
14.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.5
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston HX316C10F/8 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
32
Velocidad de lectura, GB/s
14.7
20.5
Velocidad de escritura, GB/s
9.2
15.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2585
3672
Kingston HX316C10F/8 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Avant Technology F6451U66G1600G 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
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