RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston HX316C10F/8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Compara
Kingston HX316C10F/8 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Puntuación global
Kingston HX316C10F/8 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston HX316C10F/8 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.7
14.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.2
9.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
36
En -20% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston HX316C10F/8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
30
Velocidad de lectura, GB/s
14.7
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
9.2
9.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2585
2374
Kingston HX316C10F/8 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Smart Modular SH5641G8FJ8NWRNSQG 8GB
Avant Technology F6451U66G1600G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link