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Kingston HX316C10F/8 8GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Compara
Kingston HX316C10F/8 8GB vs Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Puntuación global
Kingston HX316C10F/8 8GB
Puntuación global
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Kingston HX316C10F/8 8GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
36
En -29% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
14.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.3
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston HX316C10F/8 8GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
28
Velocidad de lectura, GB/s
14.7
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.2
11.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2585
2436
Kingston HX316C10F/8 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Smart Modular SH5641G8FJ8NWRNSQG 8GB
Avant Technology F6451U66G1600G 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
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