RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston HX318C10FK/4 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Compara
Kingston HX318C10FK/4 4GB vs A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Puntuación global
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
69
En -176% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19
6.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.9
4.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
14900
En 1.43 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston HX318C10FK/4 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
25
Velocidad de lectura, GB/s
6.1
19.0
Velocidad de escritura, GB/s
4.1
14.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
14900
21300
Other
Descripción
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-10-9-28 / 1866 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1116
3683
Kingston HX318C10FK/4 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston HX318C10FK/4 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Samsung M393B2K70DMB-YH9 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link