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Kingston HX318C10FK/4 4GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Compara
Kingston HX318C10FK/4 4GB vs Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Puntuación global
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Puntuación global
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston HX318C10FK/4 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
69
70
En 1% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.3
6.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.8
4.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
14900
En 1.43 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
70
Velocidad de lectura, GB/s
6.1
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
4.1
8.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
14900
21300
Other
Descripción
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-10-9-28 / 1866 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1116
1971
Kingston HX318C10FK/4 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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