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Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Compara
Kingston HX318C10FK/4 4GB vs Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Puntuación global
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Puntuación global
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston HX318C10FK/4 4GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
69
En -123% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.9
6.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.1
4.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
14900
En 1.14 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
31
Velocidad de lectura, GB/s
6.1
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
4.1
11.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
14900
17000
Other
Descripción
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1116
3132
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
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