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Kingston HX318C10FK/4 4GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Compara
Kingston HX318C10FK/4 4GB vs Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Puntuación global
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Puntuación global
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston HX318C10FK/4 4GB
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Razones a tener en cuenta
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
69
En -123% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.7
6.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.7
4.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
14900
En 1.72 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
31
Velocidad de lectura, GB/s
6.1
17.7
Velocidad de escritura, GB/s
4.1
14.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
14900
25600
Other
Descripción
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
9-10-9-28 / 1866 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1116
3297
Kingston HX318C10FK/4 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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