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Kingston HX318C10FK/4 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Compara
Kingston HX318C10FK/4 4GB vs Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Puntuación global
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Puntuación global
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston HX318C10FK/4 4GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
69
En -97% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.9
6.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.2
4.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
14900
En 1.14 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
35
Velocidad de lectura, GB/s
6.1
14.9
Velocidad de escritura, GB/s
4.1
10.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
14900
17000
Other
Descripción
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1116
2768
Kingston HX318C10FK/4 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston KHX1600C9D3/2G 2GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
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