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Kingston HX318C10FK/4 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Compara
Kingston HX318C10FK/4 4GB vs Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Puntuación global
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Puntuación global
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston HX318C10FK/4 4GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
69
En -82% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.6
6.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.8
4.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
14900
En 1.14 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
38
Velocidad de lectura, GB/s
6.1
14.6
Velocidad de escritura, GB/s
4.1
10.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
14900
17000
Other
Descripción
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1116
2298
Kingston HX318C10FK/4 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
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Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
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