RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Compara
Kingston HX318C10FK/4 4GB vs Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Puntuación global
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Puntuación global
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
69
En -77% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.3
6.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.8
4.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
14900
En 1.43 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
39
Velocidad de lectura, GB/s
6.1
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
4.1
10.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
14900
21300
Other
Descripción
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-10-9-28 / 1866 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1116
2159
Kingston HX318C10FK/4 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link