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Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Compara
Kingston K1N7HK-ELC 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Puntuación global
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
32
En 19% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.1
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.4
7.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
32
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
17.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.7
11.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1820
2903
Kingston K1N7HK-ELC 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
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PNY Electronics PNY 2GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
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