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Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Compara
Kingston K1N7HK-ELC 2GB vs G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Puntuación global
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
20
26
En -30% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.6
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.5
7.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
20
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
19.6
Velocidad de escritura, GB/s
7.7
15.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1820
3234
Kingston K1N7HK-ELC 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965516-430.A00G 16GB
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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
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