RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston K531R8-MIN 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Compara
Kingston K531R8-MIN 4GB vs A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Puntuación global
Kingston K531R8-MIN 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston K531R8-MIN 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
85
En 67% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.4
12
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
5.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston K531R8-MIN 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
85
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
12.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
5.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2445
1277
Kingston K531R8-MIN 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link