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Kingston K531R8-MIN 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Compara
Kingston K531R8-MIN 4GB vs AMD R744G2606U1S 4GB
Puntuación global
Kingston K531R8-MIN 4GB
Puntuación global
AMD R744G2606U1S 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston K531R8-MIN 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
76
En 63% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
8.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
AMD R744G2606U1S 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.7
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston K531R8-MIN 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
76
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
8.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2445
1809
Kingston K531R8-MIN 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
AMD R744G2606U1S 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
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Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
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