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Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Compara
Kingston K531R8-MIN 4GB vs Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Puntuación global
Kingston K531R8-MIN 4GB
Puntuación global
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston K531R8-MIN 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
34
En 18% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.2
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
34
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2445
2938
Kingston K531R8-MIN 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
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