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Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
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Kingston K531R8-MIN 4GB vs G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Puntuación global
Kingston K531R8-MIN 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Kingston K531R8-MIN 4GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
28
En -27% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
21
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.7
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
22
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
21.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
17.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2445
3987
Kingston K531R8-MIN 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston K531R8-MIN 4GB
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G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
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