RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston K531R8-MIN 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Compara
Kingston K531R8-MIN 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Puntuación global
Kingston K531R8-MIN 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston K531R8-MIN 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
28
En -22% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.1
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston K531R8-MIN 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
23
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
18.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
15.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2445
3498
Kingston K531R8-MIN 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Crucial Technology BLT4G3D1608DT1TX0. 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link