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Kingston K531R8-MIN 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Compara
Kingston K531R8-MIN 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Puntuación global
Kingston K531R8-MIN 4GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Kingston K531R8-MIN 4GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
28
En -33% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.1
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.5
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston K531R8-MIN 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
21
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
19.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
14.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2445
3427
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
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AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
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