RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KF552C40-16 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Compara
Kingston KF552C40-16 16GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Puntuación global
Kingston KF552C40-16 16GB
Puntuación global
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston KF552C40-16 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
50
En 40% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
12.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.2
7.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
19200
En 1.11 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KF552C40-16 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR5
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
50
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
12.5
Velocidad de escritura, GB/s
13.2
7.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
21300
Other
Descripción
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
no data / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3343
2326
Kingston KF552C40-16 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KF560C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Informar de un error
×
Bug description
Source link