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Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Compara
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Puntuación global
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
36
En -20% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17
14.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.2
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
30
Velocidad de lectura, GB/s
14.5
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.7
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2465
3117
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Kingston KHX1600C10D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Samsung M378B5773SB0-CK0 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
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