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Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
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Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Puntuación global
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
36
En -33% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
14.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.3
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
27
Velocidad de lectura, GB/s
14.5
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
9.7
11.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2465
2687
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
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