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Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB

Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB

Puntuación global
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Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB

Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB Razones a tener en cuenta
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
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  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    14.5 left arrow 9.1
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    9.7 left arrow 7.9
    Valor medio en las pruebas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
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  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    17000 left arrow 12800
    En 1.33 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    36 left arrow 36
  • Velocidad de lectura, GB/s
    14.5 left arrow 9.1
  • Velocidad de escritura, GB/s
    9.7 left arrow 7.9
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 13 15 18 21 22
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2465 left arrow 2090

Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB Comparaciones de la memoria RAM

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Memoria RAM
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
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Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
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Memoria RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Memoria RAM
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Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
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G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
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