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Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Compara
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Puntuación global
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
38
En -12% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
14.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.2
9.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
34
Velocidad de lectura, GB/s
14.7
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
9.1
11.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2496
2468
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
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