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Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Compara
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Puntuación global
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Puntuación global
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
53
En 28% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.7
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.1
8.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
53
Velocidad de lectura, GB/s
14.7
10.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.1
8.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2496
2319
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
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