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Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
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Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB vs Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Puntuación global
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Puntuación global
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
40
En -54% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.4
13.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.9
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
26
Velocidad de lectura, GB/s
13.1
13.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
9.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2148
2563
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
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