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Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Compara
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Puntuación global
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
40
En -8% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.1
13.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.3
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
37
Velocidad de lectura, GB/s
13.1
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
12.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2148
2939
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
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Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
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