RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Compara
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Puntuación global
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
40
49
En 18% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
13.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.0
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
49
Velocidad de lectura, GB/s
13.1
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
11.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2148
2534
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston TSB16D3LS1KFG/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
INTENSO 5641162 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
A-DATA Technology AM1L16BC4R1-B1MS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link