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Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Compara
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB vs Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Puntuación global
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Puntuación global
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
40
50
En 20% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.3
13.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.9
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
50
Velocidad de lectura, GB/s
13.1
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
10.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2148
2512
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
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