RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Compara
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB vs Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Puntuación global
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Puntuación global
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
40
62
En 35% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.5
7.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
13.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
62
Velocidad de lectura, GB/s
13.1
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
7.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2148
1808
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston TSB16D3LS1KFG/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link