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Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Compara
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB vs G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Puntuación global
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.4
10.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.2
8.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
41
En -28% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
32
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
10.9
Velocidad de escritura, GB/s
9.2
8.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2348
2370
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
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