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Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Compara
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Puntuación global
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
41
En -21% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.4
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.1
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
34
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.2
12.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2348
2616
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
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