RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Compara
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
38
En -58% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
14.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
9.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
24
Velocidad de lectura, GB/s
14.3
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.4
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2511
2925
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link