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Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Compara
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Puntuación global
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
39
En -44% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
14.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.9
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
27
Velocidad de lectura, GB/s
14.4
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.8
10.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2600
2288
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
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