RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Compara
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Puntuación global
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
38
En 5% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
9.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.4
8.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
38
Velocidad de lectura, GB/s
15.8
9.4
Velocidad de escritura, GB/s
10.4
8.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2751
2110
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KHX1866C10D3/8G 8GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
AMD R744G2400U1S 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link