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Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Compara
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Puntuación global
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
38
En 3% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
15
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
38
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2595
3005
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 99U5316-058.A00LF 2GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
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