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Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Compara
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Puntuación global
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Puntuación global
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
39
En 5% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
7.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.1
6.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
39
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
7.7
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
6.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2595
1768
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
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