RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Compara
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB vs Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Puntuación global
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Puntuación global
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.1
6.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
37
En -37% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
27
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
9.7
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
6.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2595
1767
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Golden Empire CL11-12-12 D3-2400 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link