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Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Compara
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Puntuación global
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Puntuación global
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
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Razones a tener en cuenta
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
19
35
En -84% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.5
16.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.8
10.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
19
Velocidad de lectura, GB/s
16.2
19.5
Velocidad de escritura, GB/s
10.7
15.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2726
3435
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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