RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Compara
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Puntuación global
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
32
En -10% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.3
16.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.9
12.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
En 1.25 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
32
29
Velocidad de lectura, GB/s
16.2
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
13.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
21300
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3084
3134
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link