RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Compara
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Puntuación global
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Puntuación global
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
67
En 52% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.2
15.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
8.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
En 1.13 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
32
67
Velocidad de lectura, GB/s
16.2
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
8.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
19200
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3084
2042
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G6N1 8GB
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link