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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB vs Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Puntuación global
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Puntuación global
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
60
En -161% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.5
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.9
5.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
14900
En 1.14 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
60
23
Velocidad de lectura, GB/s
6.8
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
5.4
12.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
14900
17000
Other
Descripción
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1411
3208
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
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