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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Puntuación global
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Diferencias
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Razones a tener en cuenta
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
60
En -88% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
5.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
14900
En 1.14 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
60
32
Velocidad de lectura, GB/s
6.8
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
5.4
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
14900
17000
Other
Descripción
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1411
2858
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
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