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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Compara
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB vs G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Puntuación global
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
60
En -131% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.7
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.0
5.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
14900
En 1.14 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
60
26
Velocidad de lectura, GB/s
6.8
18.7
Velocidad de escritura, GB/s
5.4
15.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
14900
17000
Other
Descripción
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1411
3834
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
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Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
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