Comparación de la memoria RAM Kingston KHX318C10FR/8G 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB

Puntuación global

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

27 60

En -122% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s

11.4 6.8

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

11.8 5.4

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

19200 14900

En 1.29 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB

Principales características

Other

Descripción

PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj

9-10-9-28 / 1866 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

1411 2062

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns