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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Compara
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Puntuación global
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Diferencias
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Razones a tener en cuenta
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
60
En -67% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
9.3
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.0
5.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
14900
En 1.29 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
60
36
Velocidad de lectura, GB/s
6.8
9.3
Velocidad de escritura, GB/s
5.4
7.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
14900
19200
Other
Descripción
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1411
1891
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
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Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Crucial Technology CT102464BA1339.M16 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
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