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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB vs Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Puntuación global
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
60
En -58% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.9
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.5
5.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
14900
En 1.14 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
60
38
Velocidad de lectura, GB/s
6.8
13.9
Velocidad de escritura, GB/s
5.4
10.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
14900
17000
Other
Descripción
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1411
2400
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
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