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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB vs Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Puntuación global
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Puntuación global
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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Razones a tener en cuenta
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
60
En -88% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.9
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.9
5.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
14900
En 1.29 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
60
32
Velocidad de lectura, GB/s
6.8
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
5.4
11.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
14900
19200
Other
Descripción
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1411
2831
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
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Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
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