RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Compara
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Puntuación global
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
33
En 15% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
11.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.9
8.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
33
Velocidad de lectura, GB/s
18.2
11.6
Velocidad de escritura, GB/s
14.9
8.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3501
2227
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link