RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Compara
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Puntuación global
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Puntuación global
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
53
En 47% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.9
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
53
Velocidad de lectura, GB/s
18.2
10.1
Velocidad de escritura, GB/s
14.9
8.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3501
2319
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Informar de un error
×
Bug description
Source link