RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Compara
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB vs Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Puntuación global
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Puntuación global
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
44
En 36% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.9
5.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
En 1.2% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
44
Velocidad de lectura, GB/s
18.2
8.5
Velocidad de escritura, GB/s
14.9
5.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3501
1660
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link